Etude et simulation d’un transistor VDMOS avec TCAD SILVACO
| dc.contributor.author | Houari Ridha | |
| dc.contributor.other | Goudjil Mohamed | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-12T12:58:45Z | |
| dc.date.available | 2019-11-12T12:58:45Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description | 51 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | L’électronique de puissance constitue de différentes axes de recherche qui nous a permet de les appliqué dans plusieurs système et différentes domaines. Au cours de ce mémoire nous somme intéressées à l’étude géométriques et technologique des transistors VDMOSFET de puissance , après avoir décrit l’état de l’art sur les transistors MOSFETs. Ainsi après avoir décrit les différentes étapes élémentaires de fabrication des circuits intégrés . ensuite , nous avons procédé a la simulation de transistor VDMOS avec le logiciel SILVACO TCAD en utilisant ces deus simulateur ATHENA , ATLAS | en |
| dc.identifier.citation | Génie Microélectronique | |
| dc.identifier.other | MAST.AUTO.39-14 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/7405 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | VDMOSFET | en |
| dc.subject | la technologie de fabrication des CI | en |
| dc.subject | SILVACO TCAD . | en |
| dc.title | Etude et simulation d’un transistor VDMOS avec TCAD SILVACO | en |
| dc.type | Thesis | en |