Etude et simulation d’un transistor VDMOS avec TCAD SILVACO
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Date
2014
Authors
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Publisher
Université Mouloud Mammeri
Abstract
L’électronique de puissance constitue de différentes axes de recherche qui nous a permet de les appliqué dans plusieurs système et différentes domaines. Au cours de ce mémoire nous somme intéressées à l’étude géométriques et technologique des transistors VDMOSFET de puissance , après avoir décrit l’état de l’art sur les transistors MOSFETs. Ainsi après avoir décrit les différentes étapes élémentaires de fabrication des circuits intégrés . ensuite , nous avons procédé a la simulation de transistor VDMOS avec le logiciel SILVACO TCAD en utilisant ces deus simulateur ATHENA , ATLAS
Description
51 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
VDMOSFET, la technologie de fabrication des CI, SILVACO TCAD .
Citation
Génie Microélectronique