Etude en fiabilité du transistor MOS SOI
| dc.contributor.author | Chabbi Taous | |
| dc.contributor.other | Lakhlef Ahcene | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-12T12:59:19Z | |
| dc.date.available | 2019-11-12T12:59:19Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description | 71 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | La fiabilité des transistors est devenue une des préoccupations principales des fabricants de circuits intégrés. La réduction des dimensions de ces transistors fait apparaitre des effets néfastes au bon fonctionnement des composants électroniques. L’objectif de ce travail est de réaliser une étude en fiabilité du transistor MOS SOI, cependant une caractérisation à été faite afin de prouver la dégradation des paramètres, ce qui implique une augmentation de la défaillance et la réduction de la durée de vie. Mots-clés | en |
| dc.identifier.citation | Génie Microélectronique | |
| dc.identifier.other | MAST.AUTO.45-14 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/7449 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | Fiabilité | en |
| dc.subject | Transistor MOS | en |
| dc.subject | Oxyde | en |
| dc.subject | Dégradation | en |
| dc.subject | SOI | en |
| dc.title | Etude en fiabilité du transistor MOS SOI | en |
| dc.type | Thesis | en |