Etude théorique d’un transistor à canal en graphène
| dc.contributor.author | Termoul Mohamed | |
| dc.contributor.other | Berd Mourad | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-12T12:59:45Z | |
| dc.date.available | 2019-11-12T12:59:45Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description | 55 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | Si elle avait très bien commencé, la miniaturisation atteint maintenant ses limites. En effet, la dimension des transistors devient tellement petite que les effets parasites et les effets quantiques, jusque là relativement négligeables, jouent un rôle dominant. Arriver à cette limite les chercheurs se sont vu contrains de se tourner vers de nouveau matériaux pour poursuivre la miniaturisation, l’un des premier matériaux à avoir suscitée de l’intérêt c’est le carbone. Dans ce mémoire, nous avons présenté la fabrication, les configurations, ainsi que quelque caractéristique du transistor à canal en graphène, de l’élaboration du matériau à l’obtention et la caractérisation électrique du dispositif. En complément, une étude sur un G-FET à une dimension du canal de 50 nm. Durant cette étude on a prit comme exemple un G-FET avec une longueur de canal de 50 nm les résultats obtenu sont très intéressant se qui donne aux graphène un avenir très prometteur. | en |
| dc.identifier.citation | Génie Microélectronique | |
| dc.identifier.other | MAST.AUTO.49-14 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/7477 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | Graphène | en |
| dc.subject | Transistors a canal en graphène | en |
| dc.subject | G-FET . | en |
| dc.title | Etude théorique d’un transistor à canal en graphène | en |
| dc.type | Thesis | en |