La Technologie des FinFETs
| dc.contributor.author | Harrouche Kathia | |
| dc.contributor.other | Benfdila Arezki | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-12T12:58:36Z | |
| dc.date.available | 2019-11-12T12:58:36Z | |
| dc.date.issued | 2016 | |
| dc.description | 64 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | A chaque nouvelle génération de transistor la réalisation du défi lancé par la loi de Moore apparaît comme un problème difficile à résoudre. Respecter la loi de Moore nécessite un compromis complexe entre la physique, la technologie et la rentabilité. Ainsi la réduction de la taille des TMOS de technologie conventionnelle (MOSFET Bulk) approche de ses limites. En effet les questions de mise à l’échelle conduisent à des effets parasites. Bien que ces défis aient augmentés au fil du temps, une solution bien adaptée a consistée à concevoir de nouvelles architectures basées sur la technologie SOI (Silicon On Insulator) a pour but de compenser ces effets néfastes. La technologie SOI permet de réaliser des transistors multiple-grille qui représentent les dispositifs les plus prometteurs pour succéder à la technologie MOS Bulk. On cite entre autres le transistor FinFET, ce composant a en effet une bonne compatibilité avec les chaines de fabrication actuelles de l’industrie intégrant ces nouveaux dispositifs. Il se pose alors naturellement le problème de la conception de circuits intégrant ces nouveaux dispositifs. | en |
| dc.identifier.citation | Machines Electriques | |
| dc.identifier.other | MAST.AUTO.37-16 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/7392 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | FinFET | en |
| dc.subject | Technologie SOI | en |
| dc.subject | Transistor | en |
| dc.subject | Fabrication | en |
| dc.subject | Lithographie. | en |
| dc.title | La Technologie des FinFETs | en |
| dc.type | Thesis | en |