Etude du comportement du transistor HEMT en HF
| dc.contributor.author | Allaf Mohammed | |
| dc.contributor.other | Benfdila Arezki | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-12T13:00:03Z | |
| dc.date.available | 2019-11-12T13:00:03Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description | 94 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | Ces dernières années, le transistor HEMT (Hign Electron Mobility Transistors) à base d’hétérostructure AlGaN/GaN, fait l’objet d’intenses recherches et investigations. Celles-ci ont montré l’efficacité de ce composant pour des applications hyperfréquences nécessitant des tensions et des puissances élevées. C’est dans ce contexte que nous nous intéresserons à la caractérisation des propriétés électriques et physique de ce dernier. Ce mémoire comporte quatre chapitres, le premier étant destiné à la description du nitrure de Gallium, matériau de base servant à cette étude, et où on a aborder ses propriétés structurales,électriques et électroniques, ainsi que les procédés de croissance et dopage . Un interêt particulier a été porté à l’impact de telles propriétés sur les héterostructure à base de nitrure et particulièrement sur les hétérostructures AlGaN/GaN. Le deuxième chapitre sera consacré à la présentation des transistors MESFET, HEMTs avec un aperçu physique et géométrique de leurs structures, ensuite viendra l’analyse des caractéristiques électriques, spécialement les courbes I(V). Par ailleurs, on mènera aussi une étude sur l’influence de la variation de quelques paramètres tels que le dopage,ou les grandeurs géométriques du transistor sur la concentration ns du 2-DEG et la tension de seuil Vth . Dans le chapitre trois nous allons présenter les résultats simulés par le logiciel Atlas-Silvaco. Les effets due aux propriétés du matériau comme la charge d’interface (ns) qui en résulte de la polarisation et la fraction molaire (x de l’Aluminium) vont être étudié. En outre, sur le plan technologique, on va voir l’influence des dimensions de la grille, la distance entre la source et le drain et le type du substrat sur les caractéristiques de sortie du transistor HEMT. Dans cette partie, nous présentons les résultats de simulations des caractéristiques statiques (DC) du transistor HEMT GaN. Pour cela, nous avons utilisés le module ATLAS du logiciel SILVACO. Dans le chapitre quatre une description succincte du transistor à effet de champ HEMT et la technologie à base de nitrure de gallium (GaN) dans le contexte de l’amplification de puissance est présentée. La présentation de trois des principales techniques relevées dans la littérature relative à l’amplification de puissance linéaire à haut rendement des signaux modulés à enveloppe variable est faite : la topologie Doherty, l’architecture EER (envelope elimination and restoration) et enfin la technique d’ET (envelope tracking). | en |
| dc.identifier.citation | Génie Microélectronique | |
| dc.identifier.other | MAST.AUTO.51-17 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/7496 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | GaN | en |
| dc.subject | 2-DEG | en |
| dc.subject | GaAs | en |
| dc.subject | Les HEMTs | en |
| dc.subject | RF | en |
| dc.title | Etude du comportement du transistor HEMT en HF | en |
| dc.type | Thesis | en |