Caractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences.
| dc.contributor.author | Baghdadi Mustapha | |
| dc.contributor.other | Benfdila Arezki | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-12T13:03:41Z | |
| dc.date.available | 2019-11-12T13:03:41Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description | 67 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | Ce travail a pour objet la présentation des deux grandes familles de transistors : Le transistor bipolaire, transistor bipolaire à hétérojonction. Et consiste en la présentation des différents types de transistor, tels que le transistor bipolaire et en particulier les HBT (transistor bipolaire à hétérojonction), L’utilisation de l’hétérojonction a permis de dépasser les limites du transistor(Les limitations fréquentielles du BJT). | en |
| dc.identifier.citation | Génie Microélectronique | |
| dc.identifier.other | MAST.AUTO.78-17 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/7657 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | BJT | en |
| dc.subject | HBT | en |
| dc.subject | Hyperfréquences | en |
| dc.subject | Atlas SILVACO | en |
| dc.subject | Transistor | en |
| dc.title | Caractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences. | en |
| dc.type | Thesis | en |