Caractérisation et simulation d’un transistor bipolaire à hétérojonction (Si/SiGe) en hautes fréquences.
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Date
2017
Authors
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Publisher
Université Mouloud Mammeri
Abstract
Ce travail a pour objet la présentation des deux grandes familles de transistors : Le transistor bipolaire, transistor bipolaire à hétérojonction. Et consiste en la présentation des différents types de transistor, tels que le transistor bipolaire et en particulier les HBT (transistor bipolaire à hétérojonction), L’utilisation de l’hétérojonction a permis de dépasser les limites du transistor(Les limitations fréquentielles du BJT).
Description
67 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
BJT, HBT, Hyperfréquences, Atlas SILVACO, Transistor
Citation
Génie Microélectronique