Caractérisation du dispositif FDSOI 32nm
| dc.contributor.author | Agoudjil Mohamed | |
| dc.contributor.other | Lakhlef Ahcene | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-12T13:00:44Z | |
| dc.date.available | 2019-11-12T13:00:44Z | |
| dc.date.issued | 2017 | |
| dc.description | 66 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | Les systèmes industriels sont devenus de plus en plus complexes utilisant des nouvelles technologies permettant d’accroitre la qualité des produits et des services ainsi que la productivité des systèmes. La technologie CMOS (Complementary MOS), est la plus rependue parmi toutes les technologies semiconducteurs. Devant l’importance de tel investissement, la notion de fiabilité prend une importance capitale, il s’agit de concevoir des procédés, des dispositifs et des circuits fonctionnels dès les premiers instants de production. Le terme de la fiabilité recouvre également tous les mécanismes d’usure et de dégradation des transistors au cours de leur utilisation et conditionnant bien sur la capacité des circuits à remplir leur fonction sur la durée. Certaines applications dédiées exigent le plus haut niveau de fiabilité et la durée de vie la plus longue possible. | en |
| dc.identifier.citation | Génie Microélectronique | |
| dc.identifier.other | MAST.AUTO.56-17 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/7533 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | FDSOI (fully depeted silicon on insulater) | en |
| dc.subject | MOSFET (metal oxyde semi conductor filed effect transistor) | en |
| dc.subject | SIO2 | en |
| dc.subject | HfO2. | en |
| dc.title | Caractérisation du dispositif FDSOI 32nm | en |
| dc.type | Thesis | en |