Analyse des premiers stades de dépôt de bismuth sur n-Si(111) par les modèles Scharifker et Hills (SH), Scharifker et Monstany (SM) et Stranski-Krastanov (SK).

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dc.contributor.authorIFTICENE, Lotfi
dc.date.accessioned2026-01-07T09:50:54Z
dc.date.available2026-01-07T09:50:54Z
dc.date.issued2025
dc.description33 f:ill.;30 cm
dc.description.abstractL'objectif de notre étude est d'identifier les mécanismes de nucléation et de croissance derrière la formation des couches minces de bismuth, et déterminer sec paramètres cinétiques, en combinant des approche expérimentales et théoriques.
dc.identifier.urihttps://dspace.ummto.dz/handle/ummto/29510
dc.language.isofr
dc.publisherummto.faculté des sciences
dc.subjectBismuth
dc.subjectSilicium
dc.subjectNucléation
dc.subjectbismuth
dc.subjectcinétiques
dc.titleAnalyse des premiers stades de dépôt de bismuth sur n-Si(111) par les modèles Scharifker et Hills (SH), Scharifker et Monstany (SM) et Stranski-Krastanov (SK).
dc.typeThesis

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