Analyse des premiers stades de dépôt de bismuth sur n-Si(111) par les modèles Scharifker et Hills (SH), Scharifker et Monstany (SM) et Stranski-Krastanov (SK).
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Date
2025
Authors
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Publisher
ummto.faculté des sciences
Abstract
L'objectif de notre étude est d'identifier les mécanismes de nucléation et de croissance derrière la formation des couches minces de bismuth, et déterminer sec paramètres cinétiques, en combinant des approche expérimentales et théoriques.
Description
33 f:ill.;30 cm
Keywords
Bismuth, Silicium, Nucléation, bismuth, cinétiques