Etude et réalisation d’hétérostructures semiconducteurs photovoltaïques multicouches
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Date
2019-09-28
Authors
Journal Title
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Volume Title
Publisher
Université Mouloud Mammeri
Abstract
Cette thèse s’inscrit dans le cadre de développement des hétéro structures pour cellules solaires photovoltaïques multicouches à base de l’hétérojonction n-GaAs/p-Si. En effet, toute technologie nécessite de passer par le développement de contact ohmique faiblement résistif pour minimiser les pertes électriques. Dans les cellules solaires l’électrode doit être conductrice et transparente. L’ITO constitue un bon candidat du fait qu’il présente une résistivité de l’ordre de 10-4?.cm et une transmittance supérieur à 90 % dans le visible et son utilisation limite la réflexion du GaAs. La dépendance des propriétés électriques du contact ITO/n-GaAs des traitements de surface du GaAs, des températures, des durées et atmosphères de recuit a été mis en évidence. La résistance spécifique de contact (RSC) ITO/n-GaAs diminue avec l’augmentation de la température pour atteindre un minimum de 2,36. 10-4 ?.cm2
pour le recuit à 500°C durant 20 min sous N2 puis elle augmente pour le recuit 30 min. L’objectif étant d’obtenir une résistance spécifique de contact faible à température relativement base nous avons introduit une couche inter faciale de Titane (transmittance > 80% ) entre l’ITO et le n-GaAs. Le recuit de ce contact à 500 °C durant 20 min
sous N2révèle une RSC de 6,46. 10-6 ?.cm2
Description
114 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
Cellules photovoltaïques, Couches minces, Couches antireflets, Hétérostructures, Cellules solaires multicouches ITO, TCO, Électrode transparente, Contact ohmique, Cellules III-V, Contact ITO/GaAs
Citation
Option : Electronique