Transistor à Effet de Champ à Base de Nanotube de Carbone
| dc.contributor.author | Hamrani Assia | |
| dc.contributor.other | Benfdila Arezki | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-12T12:59:52Z | |
| dc.date.available | 2019-11-12T12:59:52Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description | 60 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | Résumé : La recherche des nouveaux matériaux semiconducteurs et des nouveaux dispositifs pour remplacer le MOSFET au silicium va conduire à une nouvelle révolution au sein des industries électronique. Depuis la découverte des nanotubes de carbone (CNT) par Ijima en 1991, une intense activité de recherche s'est développée autour de ces nanotubes caractérisés par de multiples propriétés physiques remarquables. En raison de leur faible taille et de leurs propriétés électriques variables, les nanotubes de carbone apparaissent comme le matériau idéal pour remplacer les conducteurs et les semiconducteurs contenus dans les circuits intégrés actuels. Pour leur utilisation dans les circuits intégré les nanotubes de carbone en investis plusieurs domaines tels que transistor à haute fréquence, transistor de puissance, capteurs et microcapteurs,… C’est dans ce contexte que se situe ce travail, qui présente une modélisation compacte physique et électrique du transistor à nanotube de carbone à modulation de hauteur de barrière appelé, aussi CNFET de type MOS (MOS-like CNFET) ou C-CNFET pour CNFET Conventionnel avec leur équation fondamentale. La modélisation est essentiel de comprendre les propriétés électriques du transistor proposé à l’échelle nanométrique, afin de pouvoir s’adapter aux diverses technologies de ce transistor. En fin, une simulation mathématique est effectuée. Les résultats obtenus sont présentés et interprétés. Nous avons analysé l’influence, des variations des paramètres du CNTFET (diamètre du canal, sous bande d’énergie, qualité d’oxyde) sur les performances électroniques dans les CNFETs | en |
| dc.identifier.citation | Génie Microélectronique | |
| dc.identifier.other | MAST.AUTO.50-14 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/7485 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | CNFET | en |
| dc.subject | Dispersion d’énergie | en |
| dc.subject | sous bande d’énergie | en |
| dc.subject | Zone folding | en |
| dc.subject | Transport | en |
| dc.subject | balistique | en |
| dc.subject | Modélisation. | en |
| dc.title | Transistor à Effet de Champ à Base de Nanotube de Carbone | en |
| dc.type | Thesis | en |