Etude DFT de la co-adsorption des atomes F et O sur la surface Si(111)
| dc.contributor.author | HOCINE, Salima | |
| dc.date.accessioned | 2026-01-07T09:27:24Z | |
| dc.date.available | 2026-01-07T09:27:24Z | |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.description | 35 f.:ill.;30cm | |
| dc.description.abstract | La gravure du silicium par plasma fluoré est une technique largement utilisée en microélectronique pour fabriquer des dispositifs à l’échelle nanométrique. Cette technique est basée sur l’interaction chimique entre le fluor et la surface de silicium. Ce travail a pour objectif d’étudier la co-adsorption du fluor et de l’oxygène sur la surface Si(111), ce qui correspond au mécanisme de base de la gravure du silicium par plasma fluoré. Nous avons utilisé une méthode ab-initio fondées sur la Théorie de Fonctionnelle de Densité (DFT) via le code de calcul VASP. Pour le système F/Si(111), nous avons constaté que le site top est le plus stable, tandis que pour O/Si(111), c’est le site bridge qui est le site le plus stable. Dans le cas de la co-adsorption, nous avons trouvé que la stabilité énergétique de la co-adsorption est liée à la stabilité de l’adsorpion atomique. En effet, la configuration de la co-adsorption la plus stable est quand les deux atomes F et O sont adsorbés sur leurs sites les plus favorables dans le cas de l’adsorption atomique, top pour F et bridge pour O. | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/29508 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | ummto.faculté des sciences | |
| dc.subject | DFT | |
| dc.subject | Si(111) | |
| dc.subject | Fluor | |
| dc.subject | Oxygène | |
| dc.subject | VASP | |
| dc.title | Etude DFT de la co-adsorption des atomes F et O sur la surface Si(111) | |
| dc.type | Thesis |