Simulation de dopage par implantation ionique du Germanium
| dc.contributor.author | Kaci, Amar | |
| dc.date.accessioned | 2024-11-04T13:14:25Z | |
| dc.date.available | 2024-11-04T13:14:25Z | |
| dc.date.issued | 2021 | |
| dc.description | 39 f. : ill. ; 30 cm | |
| dc.description.abstract | Dans ce présent travail, nous étudions l'implantation des ions d'Azote, du phosphore et d'Arsenic dans une cible de Germanium par le logiciel SRIM (Stopping and Range of Ions In Matter). Notre objectif consiste à étudier les différents phénomènes liés à l'implantation ionique ainsi qu'à l'interaction ion-matière. Pour cela, nous avons déterminé les profils de distribution des ions implantés, le pouvoir d'arrêt, et évalué les dommages créés à l'intérieur de la cible. Nous nous intéressons aussi à l'effet de l'énergie et la nature des ions incidents | |
| dc.identifier.citation | Nanophysique | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/25167 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | UMMTO | |
| dc.subject | Azote | |
| dc.subject | Phosphore | |
| dc.subject | Germanium | |
| dc.subject | Implantation ionique | |
| dc.title | Simulation de dopage par implantation ionique du Germanium | |
| dc.type | Thesis |