Etude d'une LED à base d’InGaN pour l’émission de la lumière blanche.
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Date
2012-05-31
Authors
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Publisher
Université Mouloud Mammeri
Abstract
A l’échelle mondiale, l’éclairage représente environ 25 % de la consommation totale d'énergie électrique. Dans le contexte actuel d’économie d’énergie et de lutte contre le réchauffement climatique, l’éclairage par diodes électroluminescentes (LED pour Light
Emetting Diode) apparaît comme une voie très prometteuse et sans doute à terme incontournable. En effet, les LEDs à émission de lumière blanche offrent de nombreux avantages par rapport aux sources de lumière conventionnelles (longue durée de vie, faible consommation électrique et temps de réponse réduit), elles présentent une efficacité énergétique théorique 10 fois supérieure à celle des lampes à incandescence. Après avoir récapitulé l’état de l’art des diodes électroluminescentes dont nous avons présenté les points essentiels à la compréhension de cette nouvelle source de lumière, nous nous sommes intéressés à l’étude des semiconducteurs III.N et plus précisément le nitrure d’indium de gallium (InGaN), vu les récents progrès sur ces matériaux et la maitrise de leurs techniques d’élaboration qui ont permis l’émergence des LEDs dans le domaine de l’éclairage. Nous avons procédé à une simulation à l’aide du logiciel SILVACO des différentes étapes technologiques nécessaires pour la réalisation du la LED bleue à simple puits quantique InGaN utilisé pour la réalisation des LEDs blanches. Cette simulation nous a
permis de tirer les caractéristiques de la LED, et de déterminer l’influence des paramètres tels que le taux d’indium et la tension de polarisation sur l’efficacité de la LED. Mots clefs
Description
103 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
LED, SILVACO, Simulation, InGaN, Nitrures III.V, Eclairage
Citation
Option : Microélectronique