Caractérisation de défauts et de pièges électriques existant dans les couches minces des composants microélectroniques

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Date

2024

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Publisher

UMMTO

Abstract

Dans cette étude, nous avons examiné l'impact du recuit micro-onde (MO) et du recuit thermique rapide (RTA) sur la cristallinité et les propriétés électriques des couches minces de dioxyde de cérium (CeO2), déposées par pulvérisation cathodique radiofréquence magnétron sur un substrat de silicium (111) dopé de type n. Un banc de caractérisation a été développé pour évaluer les couches minces de CeO2 en utilisant la méthode de l'onde thermique (MOT). La cristallinité et la densité de lacunes d'oxygène ont été évaluées par spectroscopie Raman, tandis que les propriétés électriques ont été caractérisées par des mesures capacité-tension et la MOT. Nous avons démontré qu'un recuit MO effectué à 950 C° pendant 10 min sous air, avec une rampe de température de 50 C°/min, améliore la qualité cristalline des couches minces de CeO2, avec des concentrations minimales de lacunes d'oxygène et des cations Ce3+. Les résultats ont révélé que le recuit RTa induit une diminution significative des charges positives et une amélioration de la cristallinité de la couche mince de Ce O2, entraînant une augmentation de la tension de bande plate (VFB) de-1,6 V à 0,1 V et une élévation de la constante diélectrique de 21,3 à 22,8. En outre, nous avons établi que les caractérisations capacité-tension et par la MOT sont complémentaires, car elles révèlent la présence de défauts dans les couches minces d'oxyde. Ces méthodes ont confirmé l'effet positif d'un recuit RTA sur les propriétés électriques des couches minces de Ce O2.

Description

57 f. : ill. en coul. ; 30 cm + (CD-ROM)

Keywords

Spectroscopie, Dioxyde de cérium, Recuit micro-onde, Recuit thermique, Cristallinité, Onde thermique

Citation

Chimie physique