Etude et réalisation des couches minces de ZnO pour application photovoltaïque

dc.contributor.authorOtmane cherif, Mourad
dc.date.accessioned2021-06-30T08:39:24Z
dc.date.available2021-06-30T08:39:24Z
dc.date.issued2011
dc.description74 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)en
dc.description.abstractLe travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation et l’étude des propriétés de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Ce dernier est un semi-conducteur de type n à gap direct d’environ 3,3 eV, ce qui permet de le classer parmi les semi-conducteurs à large bande interdite. Il présente des caractéristiques intéressantes, permettant son utilisation dans les dispositifs à conversion photovoltaïque de l’énergie solaire. Pour réaliser ces dépôts, nous avons utilisé la technique de déposition en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD). Cette technique présente l’avantage de s’effectuer sous air, ce qui réduit le cout de sa mise en œuvre relativement aux techniques qui utilisent du vide.en
dc.identifier.citationDepartement: Electroniqueen
dc.identifier.otherING.ELN.39-11
dc.identifier.urihttps://dspace.ummto.dz/handle/ummto/13671
dc.language.isofren
dc.publisherUNIVERSITE MOULOUD MAMMERI TIZI-OUZOUen
dc.subjectTCOen
dc.subjectAPCVDen
dc.subjectCouches minces de Znoen
dc.subjectPhotovoltaiqueen
dc.subjectOxydes transparents et conducteurs (TCO)en
dc.subjectTechnique de dépôt APCVDen
dc.subjectCellulesen
dc.titleEtude et réalisation des couches minces de ZnO pour application photovoltaïqueen
dc.typeThesisen

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