Etude des pertes dans les convertisseurs statiques
| dc.contributor.author | Kachenoura, Rahma | |
| dc.date.accessioned | 2017-06-14T13:40:13Z | |
| dc.date.available | 2017-06-14T13:40:13Z | |
| dc.date.issued | 2015-06-16 | |
| dc.description | 147 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | L’objectif du présent travail est de développer des modèles de calcul des pertes dans des convertisseurs de l’électronique de puissances. Le calcul des pertes dans un semi-conducteur doit être effectué en fonction du type de l'interrupteur et du circuit dans lequel il est inséré. En électronique de puissance, des transistors à effet de champ (MOSFETs) et des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont utilisés comme des interrupteurs de base, tandis que les diodes sont principalement utilisées pour assurer la roue libre. Les pertes dans les interrupteurs semi-conducteurs représentent une partie considérable des pertes totales d'un convertisseur d’électronique de puissance, donc des techniques de modélisation précises de ces pertes sont nécessaires pour les calculer. En effet les modèles proposées dans ce travail, sont basés sur des approches temporelles et par représentation d’état dans une cellule de commutation constituée par un transistor IGBT et une diode PiN | en |
| dc.identifier.citation | Option : Electrotechnique | en |
| dc.identifier.other | DOC.ETH.54-15 | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/1344 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | Paramètres thermosensibles | en |
| dc.subject | Diode PiN | en |
| dc.subject | IGBT | en |
| dc.subject | Capacités variables | en |
| dc.subject | Pertes par commutations | en |
| dc.subject | Température de jonction | en |
| dc.title | Etude des pertes dans les convertisseurs statiques | en |
| dc.type | Thesis | en |