Dépôt de l'oxyde du zinc (ZnO) sur le silicium (Si) poreux
| dc.contributor.author | Ibeghouchene, Assia | |
| dc.date.accessioned | 2024-12-15T09:26:35Z | |
| dc.date.available | 2024-12-15T09:26:35Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.description | 48 f. : ill. en coul. ; 30 cm + (CD-ROM) | |
| dc.description.abstract | Dans cette étude, nous avons procédé à la préparation des surfaces de silicium nanoporeux par une simple attaque chimique du silicium monocristallin de type n, d'orientation (111), de résistivité 0.03-2 ?cm et d'épaisseur proche de 400 ?m. Nous avons ensuite analysé les caractéristiques morphologiques et optiques des échantillons pour différentes conditions de préparation. Les résultats obtenus ont mis en évidence la formation d'une structure macroporeuse dans le silicium avec une réflectivité inférieure à 15%. De plus, les dépôts de ZnO réalisés sur le silicium poreux présentent une morphologie dendritique, formant ainsi une fine couche qui ne recouvre pas toute la surface du SiP. L'analyse optique des échantillons Zn/SiP a révélé une augmentation significative de l'absorbance par rapport au silicium poreux seul. Cette observation témoigne donc d'une modification notable des propriétés optiques suite au dépôt du ZnO. En conclusion, nos travaux démontrent que la préparation du silicium nanoporeux suivi du dépôt de ZnO permet non seulement d'obtenir une structure macroporeuse mais également un changement important dans les propriétés optiques du matériau résultant. Ces résultats ouvrent ainsi plusieurs perspectives intéressantes pour l'utilisation potentielle dans divers domaines tels que l'électronique ou encore l'énergie solaire. | |
| dc.identifier.citation | Chimie physique | |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/25748 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | UMMTO | |
| dc.title | Dépôt de l'oxyde du zinc (ZnO) sur le silicium (Si) poreux | |
| dc.type | Thesis |