Département de Génie Mécanique
Permanent URI for this collection
Browse
Browsing Département de Génie Mécanique by Subject "Aluminium"
Now showing 1 - 1 of 1
Results Per Page
Sort Options
Item Etude du composite céramique-métal (Sic/ alliage d'aluminium obtenu par infiltration(Université Mouloud Mammeri, 2013) Sidhoum, ZehraCe travail avait comme objectif l’étude d’un composite à matrice d’aluminium renforcée par des particules du carbure de silicium élaboré par la technique de l’infiltration spontanée à la température de 900°C. Á la fin de l’opération d’élaboration, il a été constaté un mauvais mouillage du SiC par l’aluminium en raison d’une couche d’alumine qui s’interpose à l’interface solide/liquide. La bibliographie rapporte que beaucoup de chercheurs s’accordent à dire que l’alumine qui se forme inévitablement aux interfaces empêche toute interdiffusion solide/liquide et limite le mouillage. La technique de frittage en phase liquide a été appliquée pour améliorer le contact Al/SiC par compression à froid et assurer un bon mouillage des particules du carbure. L’analyse par diffraction des rayons X n’a révélé aucune formation de nouvelles phases. Les observations au MEB ont mis en évidence une adhérence médiocre des particules solides avec la matrice. L’immersion des particules directement dans le bain du métal en fusion soumis à un brassage n’améliore point la mouillabilité de la céramique SiC par l’aluminium. La diffraction des rayons X ne révèle aucun polytype correspondant au carbure de silicium SiC. Á travers ces résultats il semble que le type de SiC utilisé n’est pas mouillé par l’aluminium en fusion à la température de 900°C. Des microanalyses EDS-X ont révélé la présence d’une certaine quantité d’oxygène aux interfaces ce qui nous a amené à penser à l’existence d’une fine couche d’alumine qui se ségrége à l’interface et empêche ainsi le contact direct entre les particules du carbure de silicium et la phase liquide. Pour éliminer la couche d’alumine et améliorer ainsi le mouillage, trois méthodes sont appliquées, à savoir : le traitement à 1200°C, l’application d’une pression ainsi que le traitement des particules du carbure de silicium par de