Guenoun ALIGoudjil Mohamed2019-11-122019-11-122014Machines ElectriquesMAST.AUTO.26-14https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/730961 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)Les transistors de puissance constituent un axe de recherche très fertile et permet être appliqué dans plusieurs système et différentes domaines. Au cours de ce mémoire nous somme intéressées à l’étude et caractérisation des transistors VDMOSFETs de puissance sous contrainte BTS. Après avoir décrit l’état de l’art sur les transistors MOSFETs. Ainsi une étude sur leur fiabilité, nous avons procédé l’étude des différentes paramètres électriques du transistor VDMOS BS108 en utilisant la technique I(V), avec l’appareille Tektronix A370 et un logiciel LabVIEW pour faire un Banc de mesure adéquat, dans le but d’étudier la dégradation NBTI et PBTI à température ambiante.frMOSFETVDMOSFETContrainte BTSCaractérisationDégradationNBTI/PBTI.Thesis