Yermeche KahinaLakhlef Ahcene2019-11-122019-11-122014Génie MicroélectroniqueMAST.AUTO.44-14https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/744160 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)L’objet de notre travail est relatif à une analyse prospective de l’évolution des effets de canal court compte tenu de l’avancée des technologies induite par la miniaturisation, particulièrement pour des transistors MOS de longueur submicronique. Nous introduisons les effets liés à la réduction des dimensions; Les effets de canaux courts ont été étudiés. Les effets des porteurs chauds ont été également analysés. Nous représentons l'extraction des paramètres électriques à l’aide de la technique de mesure I (V) qui prend en compte le deuxième facteur d’atténuation de la mobilité et de la tension de seuil. Ainsi que les solutions technologiques qui ont été proposées pour contrer les effets de canaux courts et de porteurs chauds. ___________________________________________________________________________frMOSFETEffets de canaux courtsExtraction des paramètresIonisation par impactEffets desporteurs chauds.Thesis