Ould Braham AmarBoughias Ouiza2019-11-262019-11-262012InstrumentationING.ELN.22-12https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/828948 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)La structure M-I-S (Métal-Isolant-Semi-conducteur), est la base pour la réalisation des transistors. Le travail fis dans ce mémoire est une étude d’une structure électronique de type ITO/PMMA/PENTACENE (MIS) pour réaliser un transistor organique à effet de champ (OFET), pour cela nous avons abordé les transistors MOS à effet de champ (MOSFET) en premier, et l’introduction des matériaux organiques dans les MOSFET, nous donne les transistors organiques à effet de champ( OFET). Les transistors à base de ces matériaux sontdevenusintéressantgrâce à denombreux atouts dont on peut citer : Bas coût de fabrication ; le support de fabrication être flexible comme le papier, alors cette électronique devient souple et légère et moins coûteuse.frMOSFETOFETITO / PMMA.Thesis