Otmane cherif, Mourad2021-06-302021-06-302011Departement: ElectroniqueING.ELN.39-11https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/1367174 p. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)Le travail présenté dans ce mémoire porte sur la réalisation et l’étude des propriétés de couches minces d’oxyde de zinc (ZnO). Ce dernier est un semi-conducteur de type n à gap direct d’environ 3,3 eV, ce qui permet de le classer parmi les semi-conducteurs à large bande interdite. Il présente des caractéristiques intéressantes, permettant son utilisation dans les dispositifs à conversion photovoltaïque de l’énergie solaire. Pour réaliser ces dépôts, nous avons utilisé la technique de déposition en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD). Cette technique présente l’avantage de s’effectuer sous air, ce qui réduit le cout de sa mise en œuvre relativement aux techniques qui utilisent du vide.frTCOAPCVDCouches minces de ZnoPhotovoltaiqueOxydes transparents et conducteurs (TCO)Technique de dépôt APCVDCellulesThesis