Ait Belkacem, Mouna2024-11-042024-11-042021Nanophysiquehttps://dspace.ummto.dz/handle/ummto/2515230 f.: ill. ; 30 cmLa fabrication assistée par plasma englobe une vaste gamme d'applications industrielles et de traitement de surface (gravure, dépôt,...). Elle a un impact direct sur l'économie mondiale dans différents aspects de l'industrie des hautes technologies. L'utilisation de ces procédés nécessite un contrôle au niveau des paramètres du Plasma, tels que le déphasage (_), la capacité de blocage(Cb), les amplitudes de voltages (V) …etc. L'avantage de la décharge plasma double fréquence à couplage capacitif est qu'il peut permettre le contrôle de l'énergie ionique pendant le processus de dépôt en couche mince sous certaine condition entrainant l'effet de l'asymétrie électrique. On présente dans ce travail une étude paramétrique dans une décharge double fréquence par la méthode PIC-MCC. Les résultats obtenus sont présentés et discutésfrDécharge RF à couplage capacitiveParticule InCellAsymétrie électriqueThesis