Rabahallah SamirBennamane Kamal2019-11-122019-11-122012Entrainements ElectriquesMAST.ELN.30-12https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/633845 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)La microélectronique a commencé avec l’invention du transistor en 1947, par John Bardeen et Walter Brittain des Bell Laboratories. L’évolution de l’industrie de la microélectronique doit une grande partie à l’existence de l’oxyde de silicium, en particulier au dioxyde de silicium, SiO2. Cela a rendu possible le développement de la technologie CMOS (Complementary Metal-Oxyde-Semiconductor) qui, du fait de sa faible consommation et de sa forte densité d’intégration, est à la base de nombreux circuits intégrés. L’évolution continue des technologies employées dans l’industrie microélectronique s’accompagne de nouveaux problèmes de fiabilité des circuits. Ces problèmes sont typiquement liés à la réduction des dimensions et l’implantation de matériaux nouveaux. Dès lors, il est fondamental d’identifier les points faibles des circuits afin d’en évaluer leur performance. Il apparaît ainsi un besoin permanent de développer de nouvelles techniques d’analyse des composants microélectroniques. Dans ce présent travail, nous avons réalisé une carte pour la caractérisation ultra rapide des états d’interface, cette technique a réduit considérablement le temps de mesure comparé aux techniques conventionnelles, tel que la CP (charge pumping), la CV (capacitance voltage) et la méthode de la conductance. Nous avons aussi, développé des applications sous labview, pour contrôler la carte NI USB-6218 afin de générer le signal de grille (signal d’attaque), gérer un oscilloscope numérique de type Tektronix et acquérir les différents signaux sur micro ordinateur pour d’éventuels traitements.frTransistor MOSLab ViewPompage de chargeDéfauts de l'interface Si/ Si O2LF347 N.Thesis