Djafour AliHocine Dalila2019-11-122019-11-122015Génie MicroélectroniqueMAST.AUTO.66-15https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/759658 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)Le travail présenté dans ce mémoire, nous avons utilisé la simulation numérique afin d’optimiser les paramètres des cellules solaires à hétérojonctions du type oxyde transparent conducteur/silicium (TCO/Si).La cellules solaire étudié est de type ZnO/n-Si. Nous avons analysé l’influence de l’épaisseur de substrat et de l’émetteur ainsi l’influence de dopage de substrat et de l’émetteur. Les résultats acquis en simulation montre que ce type de cellules solaires peuvent avoir un rendement théorique de 16,5% une tension de circuit ouvert de 0.7 V ; un courant de courtcircuit de 27.5 mA/cm², un facteur de forme de 0.83.frTCOZnO/n-SiHétérojonctionCéllule solaireSimulation .Etude et simulation d'une céllule solaire à hétérojonction de type ZnO/n-SIThesis