Medjoudj LamiaHatem Djedjiga2019-11-122019-11-122018Micro- ElectroniqueMAST.ELN.17-18https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/678358 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)L’objectif du présent travail est la simulation par le simulateur SILVACO ATLAS TCAD (Technology Computer Aided Design) des propriétés électriques courant-tension (I-V) et capacité-tension (C-V) d’une diode à barrière de Schottky formée à partir de matériaux III-V, l'arséniure de gallium (GaAs) et L’arséniure Aluminium de gallium type p (p-AlGaAs), en vue d’une étude de l’influence de certains paramètres géométriques et physiques.frDiodeSchottkyBarrière de potentielDopageSilvacoAtlasSimulationAlGaAsGaAs.Thesis