Optimisation du rendement de conversion photovoltaïque des cellules solaires à base de diséléniure de Cuivre, d’Indium et de Gallium "CIGS".
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Date
2017
Authors
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Publisher
Université Mouloud Mammeri
Abstract
L’Étude de l’influence des variations des épaisseurs et dopages des couches(Couche absorbeur, Couche tampon et C ouche fenêtre) sur le rendement et l’impact de la température sur les performances de ces cellules solaires nécessite une multitude de simulations à fin de faire des approches concrètes quant à cette technique d’élaboration des cellules solaires ; l’étude en question nécessite plusieurs méthodes technologiques e novatrices à l’exemple de la technologie informatique AFORST -HET logiciel pour CIGS Cellules solaires à couche mince. La structure est composée d'une cellule solaire CIGSdans la configuration : ZnO (50 nm) / CdS (40 nm) / CIGS (40 nm) / Mo. Pour le molybdène de contact arrière (Mo) est utilisé. La cellule solaire a base de CIGS c’est un semi-conducteurs (p-n) hétérojonction.. Les caractéristiques JV et simulées sous AM 1,5 illumination. Le rendement de conversion (? ), de 18,77% est atteinte et les autres paramètres caractéristiques sont simulés : la tension en circuit ouvert (Voc) est de 0,74 V, la densité de courant de circuit (Jsc) est égal à 29.93 mA/cm2 et le facteur de forme (FF) est de 0,84. Les résultats de simulation ont montré que la température influe négativement sur le rendement des cellules solaires CIGS(p)/CdS(n)/ZnO. La décroissance du rendement de ces cellules pour des températures supérieures à 25°C est due principalement à la diminution de la tension de circuit ouvert suite à l’augmentation du courant de saturation de la cellule.
Description
61f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
Cellule solaire à hétérojonction (p-n), AFORST, HET, Paramètres cellulaires des cellules solaires CIGS
Citation
Matériaux Et Dispositifs Électroniques Et Photovoltaiques