Vieillissement du transistor MOS de puissance
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Date
2016
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Université Mouloud Mammeri
Abstract
Ce mémoire consiste à étudier la fiabilité des transistors MOSFETs de puissance utilisant les méthodes de vieillissements par contraintes électrique. La mise en oeuvre de ce travail nécessite de mettre en pratiques les notions de caractérisation ainsi que la maitrise du banc de mesure par un développement adéquat. Les étapes de caractérisation permettent d’étudier la fiabilité des transistors MOSFETs (réponse induitepar la dégradation des états d’interface).On a organisé l 'ensemble des travaux en trois chapitres. Le premier chapitre est consacré a présenté l’état de l’art des transistors MOS (fonctionnement des différentes structures) et leurs évolutions selon les performances (miniaturisation, consommation d’énergie, ). L’étude de la structure SiO2 et ces défauts communément responsables de la dégradation des structures MOS sont présentés dans le deuxième chapitre Le troisième chapitre est consacré à la partie pratique, notamment la description détaillée du matériel et des logiciels utilisés.Ainsi que la caractérisationdes MOSFETs par la mesure du courant de drain et l’extraction des paramètres électriques qui ont répondues aux contraintes électriques appliquées. Et enfin nous présentant les résultats obtenues. Nous terminons par une conclusion générale, en exposant les perspectives pour la poursuite des expériences, afin de déterminer la durée de vie des MOSFETs de puissance selon les contraintes du fonctionnement.
Description
44 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
Transistor MOS, Transistor MOFSET, VMOS
Citation
Génie Microélectronique