Etude du comportement du BJT de puissance en fonction de la fréquence et de la température
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Date
2013
Authors
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Publisher
Université Mouloud Mammeri
Abstract
Ce présent travail consiste en l’étude du comportement des transistors bipolaires de puissance sous l’effet de la température et de la fréquence. Cette étude s’appuie principalement sur l’effet de la température par rapport au temps de montée et au temps de descente qui sont deux paramètres importants qui déterminent la fréquence limite d’utilisation de ces derniers. A cet effet, Le projet précité comporte les chapitres suivants : Le premier chapitre traite l’étude physique et technologique des transistors bipolaires, le deuxième chapitre est consacré à l’étude des transistors bipolaires de puissance en se basant sur l’influence de la température et de la fréquence. Enfin le troisième et dernier chapitre traite de la caractérisation du BJT de puissance, Cette étape consiste en montage du banc de mesure qui a trait à la réalisation d’une carte d’acquisition et de commande de température avec LabVIEW, pic18F4550, afficheur tout en utilisant une communication USB, puis réalisation d’une chaufferette en aluminium (caisson) avec une isolation de 5cm en laine de roche pour envelopper le système dedans y-compris le transistor de puissance pour voir l’influence de la température sur sa fréquence de commutation (mode interrupteur) .
Description
76 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom)
Keywords
BJT, Traceur de courbes, Carractéristiques des transistors, GBF, Oscillouscope, USB, Labview .
Citation
Reseaux Et Telecommunications